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霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數據采集和處理在80K-400K溫度范圍內對霍爾系數和電導率的聯合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質電離能等。​

主要技術指標

1．電磁鐵   ​0-300mT連續可調

2. 勵磁電源​0-5A連續可調  可自動換向​穩定性﹤±0.1%

3. 數字特斯拉計​0-2000mT​ 三位半數字顯示   分辨率0.001

4. 恒流源輸出​1mA​ 穩定性±0.1%

5. 數據采集系統霍爾電壓測量最小分辨率1uV

6. 溫度變化測量范圍​    80-400K

7. 整套儀器由電磁鐵系統、電源控制系統機箱、測量系統主機、恒溫器四部分組成

8. 探頭樣品采用單晶鍺片